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参数目录41157
> IPA90R1K0C3 MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-3
型号:
IPA90R1K0C3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-3
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IPA90R1K0C3 PDF
产品培训模块
CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
标准包装
500
系列
CoolMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
900V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
5.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
1 欧姆 @ 3.3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3.5V @ 370µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
34nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
850pF @ 100V
功率 - 最大
32W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
PG-TO220-FP
包装
管件
其它名称
SP000413712
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